硅酸根測定儀校準項目 (1)外觀(guān)檢查;(2)絕緣電阻(首檢);(3)分析儀示值誤差;(4)分析儀重復性;(5)分析儀零點(diǎn)漂移;(6)分析儀量程漂移 硅酸根測定儀校準的項目指標 (1)示值誤差校準(用引用誤差) 在SiO2含量為0~50 u g / mL的范圍內,示值誤差不大于其量程的2.0%在SiO2含量為0~200 u g / mL的范圍內,示值誤差不大于其量程的2.5%。 (2)分析儀重復性的校準(用多次測量的標準偏差表示)分析儀重復性測量的標準偏差不大于1.5%。 (3)分析儀零點(diǎn)漂移的校準:在15min內應不超過(guò)1.0 u g / mL。 (4)分析儀量程漂移的校準:在15min內應不超過(guò)2.0 u g / mL。